安徽专升本数字电子技术历年真题模拟试卷及参考答案

一、判断题。

1.实际中，常以字数和字节数的乘积表示存储容量。

2.RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。

3.动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。

4.用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。

5.所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。

6.ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。

7.RAM中的信息，当电源断掉后又接通，则原存的信息不会改变。

8.存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。

9.PROM的或阵列(存储矩阵)是可编程阵列。

10.ROM的每个与项(地址译码器的输出)都一定是最小项。

二、单项选择题。

1.脉冲整形电路有()。

A.多谐振荡器

B.双稳态触发器

C.施密特触发器

D.555定时器

2、多谐振荡器可产生()。

A.正弦波

B.矩形脉冲

C.三角波

D.锯齿波

3、石英晶体多谐振荡器的突出优点是()。

A.速度高

B.电路简单

C.振荡频率稳定

D.输出波形边沿陡峭

4、TTL单定时器型号的最后几位数字为()。

A.555

B.556

C.7555

D.7556

5、用555定时器组成施密特触发器，当输入控制端CO外接10V电压时，回差电压为()。

A.3.33V

B.5V

C.6.66V

D.10V

6、以下各电路中，()可以产生脉冲定时。

A.多谐振荡器

B.单稳态触发器

C.施密特触发器

D.石英晶体多谐振荡器

7.函数F(A,B,C)=AB+BC+AC的最小项表达式为()。

A.F(A,B,C)=∑m(0，2，4)

B.(A,B,C)=∑m(3，5，6，7)

C.F(A,B,C)=∑m(0，2，3，4)

D.F(A,B,C)=∑m(2，4，6，7)

8.有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP作用下，四位数据的移位过程是()。

A.00

B.00

C.11

D.00

9.一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有()种。

A.15

B.8

C.7

D.1

10.四个触发器组成的环行计数器最多有()个有效状态。

A.0

B.6

C.8

D.16

三、填空题。

1、一个存储矩阵有64行、64列，那么存储容量为_______________个存储单元。

2、动态MOS存储单元是利用电容C上存储的电压存储信息的，为了不丧失信息，必须不断

_______________。

3、半导体存储器按照存、取功能上的不同可分为只读存储器ROM和随机存取存储器RAM两大类。其中_______________事先存入的信息不会因为下电而丧失;而随机存取存储器RAM关闭电源或发生断电时，其中的数据就会丧失。

4、存储器的两大主要技术指标是_______________和存取速度。

5、RAM主要包括_______________、存储矩阵和读/写控制电路三大局部。

6、存储器容量的扩展方法通常有_______________、位扩展和字、位同时扩展三种方式。

7、斯密特触发器属于双稳态电路。斯密特触发器的主要用途有_______________、脉冲鉴幅等。

8、单稳态触发器在触发脉冲的作用下，从稳定状态转换到_______________状态。依靠自身作用，又能自动返回到稳定状态。

9、多谐振荡器电路没有稳态，电路不停地在暂稳状之间转换，因此又称作_______________。

10、555定时器的最后数码为555的是TTL 产品，为7555的是_______________产品。

四、简答题。

1、逻辑代数及普通代数有何异同?

2、试述卡诺图化简逻辑函数的原那么和步骤。

3、数字电路中，正逻辑和负逻辑是如何规定的?

4、你能说出常用复合门电路的种类吗?它们的功能如何?

5、TTL及非门闲置的输入端能否悬空处理?CMOS及非门呢?

6、试述TTL及非门和OC门、三态门的主要区别是什么?

7、假设把及非门、或非门、异或门当做非门使用时，它们的输入端应如何连接?

8、提高CMOS门电路的电源电压可提高电路的抗干扰能力，TTL门电路能否这样做?为什么?

9、试述组合逻辑电路的特点?

10、分析组合逻辑电路的目的是什么?简述分析步骤。

点击查看答案

　　感谢您阅读安徽专升本数字电子技术历年真题模拟试卷及参考答案，本文出自：诚为径统招专升本网，转载需带上本文链接地址：https://tzzsb.cwjedu.com/mnst/66162